Optyczny czujnik odległości lasera CMOS

Pomiar

Centrum 30 mm

Pomiar

Centrum typu 50 mm

Pomiar

Centrum typu 100 mm

Pomiar

Centrum 200 mm

Pomiar

Centrum 400 mm

300 μm (odległość pomiaru od 200 do 400 mm)

800 μm (odległość pomiaru od 400 do 600 mm)

± 0,3%F.S. (odległość pomiaru od 200 do 400 mm)

± 0,4%F.S. (Odległość pomiaru od 400 do 600 mm)

Czerwony laser półprzewodnikowy klasa 2 [JIS/IEC/GB/FDA (Uwaga 2)]

Max. Wyjście: 1 MW, długość fali szczytowej emisji: 655 nm

Tranzystor NPN z otwartym kolektorem

      • Maksymalny prąd zlewu: 50 mA

      • Zastosowane napięcie: 30 V DC lub mniej

                      (Między wyjściem sterującym a 0 V)

      • Napięcie resztkowe: 1,5 V lub mniej

                                  (Przy prądu zlewu 50 mA)

      •Prąd upływowy: 0,1 mA lub mniej

  Tranzystor otwartego kolekcjonera PNP

  • Maksymalny prąd źródłowy: 50 mA

  • Zastosowane napięcie: 30 V DC lub mniej

              (Między wyjściem kontrolnym do +v)

  • Napięcie resztkowe: 1,5 V lub mniej

                       (Przy prądu źródłowym 50 mA)

   • Prąd upływu: 0,1 mA lub mniej

• Zakres wyjściowy: od 0 do +5 V (przy alarm: +5,2 V)

• Impedancja wyjściowa: 100 Ω

• Zakres wyjściowy: od 4 do 20 mA (przy alarm: 0mA)

• Impedancja obciążenia: 300 Ω lub mniej

 NPN Non-Contact Dreput

   • Warunki wejściowe

     Nieprawidłowe: +8 do +v DC lub otwarte

     Ważne: 0 do +1.2V DC

   •Impedancja wejściowa: Ok. 10 kΩ

  Wejście PNP bezkontaktowe

    • Warunki wejściowe

     Nieprawidłowe: 0 do +0,6 V DC lub otwarte

     Ważne: +4 do +v DC

    • Impedancja wejściowa: ok. 10kΩ